PDA

View Full Version : transistor အေႀကာင္း သိသမွ် အကုန္ ေျပာျပၾကပါ။



တင္မ်ဳိးဇင္
06-20-2010, 11:31 AM
ကြ်န္ေတာ္က electronic ပညာကိုေလလာ့တာ သိပ္မၾကာေသးပါလုိိ ့ပါ..။ transistor ကုိ switch (ဒါမွမဟုတ္) amplifier အေနနဲ ့သုံးတယ္လုိ ့ပဲ ၾကားဖူးပါတယ္ ။ စာအုပ္ေတြဖတ္ၾကည့္ေတာ့ transistor အမ်ဳိးအစား အမ်ားၾကီးေတြ ့ရတယ္ဗ်။ project board နဲ ့ၾကည့္ျပီး ဆင္လို ့ရေပမယ့္ ဘာေၾကာင့္သုံး မွန္းမသိေတာ့ ကုိယ့္ကုိကိုယ့္ အားမရဘူး ျဖစ္ေနတယ္ဗ်။ အဲဒါေၾကာင့္ transistor အေၾကာင္းကုိ အေျခခံကစျပီး biasing ေတြ ၊အစားထုိးပုံေတြ အထိ ေက်းဇူးျပဳျပီး ေျပာျပေပးၾကပါ ခင္ဗ်ား...။

zeyartw
06-20-2010, 02:03 PM
Transistor ေတြအေျကာင္းကို အေျခခံက်က် နားလည္ခ်င္ရင္ေတာ႕ semiconductors ေတြအေၾကာင္းကို ေစ႕ေစ႕ညက္ညက္ ေလ႕လာမွကို ေသေသခ်ာခ်ာ နားလည္ပါလိမ္႕မယ္။ ကြ်န္ေတာ္ ကေတာ႕ တပိုင္းလွ်ပ္ကူး (သို႕) semiconductors အေၾကာင္းမွစတင္ကားရွင္းလင္းတင္ျပေပးခ်င္ပါတယ္။

Semiconductors
ွSemiconductor (တပိုင္းလွ်ပ္ကူး) မ်ားသည္ conductor (လွ်ပ္ကူးပစၥည္း) မ်ား ႏွင္႕ insulator (လွ်ပ္ကာပစၥည္း) မ်ား၏ၾကားရွိ အေျခေနရွိေသာ material အမ်ိဳးအစားျဖစ္သည္။ semiconductor ေတြဟာပံုမွန္အားျဖင္႕ ပုံေဆာင္ခဲ(solid state) အေနနဲ႕ေတြ႕ရေသာ္လည္း၊ တခ်ိဳ႕ေသာ ပစၥည္းမ်ားတြင္မူ semiconductor ကိုအရည္ေျခေနျဖင္႕ေတြ႕ရတတ္သည္။ ဥပမာအားျဖင္႕ LCD Display မ်ားတြင္ ေတြ႕ရတတ္သည္။ semiconductors မ်ားကို Organic Semiconductors မ်ားအေနနဲ႕လည္းေတြ႕ရတတ္ပါတယ္။ ဥပမာအေနနဲ႕ေျပာရရင္ေတာ႕ poly (3-hexylthiophene), poly (p-phenylene vinylene) , polyacetylene ႏွင္႕ Quinacridone အစရွိသည္တို႕ဟာ organic semiconductors အမ်ိဳးအစားေတြျဖစ္ပါတယ္။ Silicon ႏွင္႕ Germanium အစရွိေသာ semiconductors မ်ား ကိုေစ်းကြက္ထဲတြင္ ေတြရွိရတတ္ေသာ္လည္း gallium arsenide ၊ silicon carbide အစရွိေသာ semiconductor အမိ်ဳးအစားမ်ားလည္းရွိသည္။ pure semiconductor (သန္႕စင္တပိုင္းလွ်ပ္ကူး) မ်ားကို intrinsic semiconductor ဟုေခါသည္။ ယင္း သန္႕စင္တပိုင္းလွ်ပ္ကူးမ်ားအတြင္းသို႕ impurities (မသန္႕စင္သတၱဳ) ကိုထည္႕သြင္းေစျခင္းျဖင္႕ လွ်ပ္စီးသတၱိ (conductivity) မ်ားကိုေျပာင္းလဲႏိုင္ပါသည္။ ထိုကဲ႕သို႕ ျပဳလုပ္သည္႕ လုပ္ငန္းစဥ္ကို doping (အပင္းသြင္းျခင္း) ဟုနားလည္ႏိုင္ပါသည္။ ယင္း doping မ်ားတြင္မူတည္ကာ P-Type, N-Type, P-N Junction အစရွိသည္႕ applied လုပ္ႏိုင္ေသာ semiconductor အမ်ိဳးအစားမ်ားျဖစ္လာပါသည္။ ေနာက္တပိုင္းအေနနဲ႕ကေတာ႕ ကြ်န္ေတာ္ P-Type, N-Type, P-N Junction မ်ားေၾကာင္းကိုေဆြးေႏြးတင္ျပကာ၊ Discrete Electrnics (Diodes, Transistors, FET) အစရွိသည္တို႕ကို ဆက္လက္ေဆြးေႏြးတင္ျပပါမည္။

ေဇယ်ာသန္း၀င္း

ေအ၇ာ
06-20-2010, 02:14 PM
ေအ၇ာ ၾကားဖူးတာေလးေတြကေတာ့ အခုလိုျဖစ္ပါတယ္။
ထရန္စစၥတာေတြဟာ တပိုင္းလွ်ပ္ကူးသတၱိရွိတဲ့ပစၥည္းေတြျဖစ္လို႔ ဒီစီ ပတ္လမ္းေတြမွာပဲသံုးစဲြရတယ္တဲ့။

ေနာက္ၿပီးေတာ့
ထုတ္လုပ္တဲ့ပံုစံေတြအမ်ဳိးမ်ဳိးကဲြေပမယ့္ ထင္ရွားတဲ့လကၡဏာတစ္ခုက ေျခေထာက္ သံုးေခ်ာင္း ပါ၀င္ေလ့ရွိတယ္လို႔သိရပါတယ္။
အဲဒီ ေျခေထာက္ငုတ္ေတြကေတာ့ အေျခ(Base)၊ လွ်ပ္စု(Collector) ႏွင့္ လွ်ပ္ထုတ္ (Emitter) တိုျဖစ္တယ္ဆိုပါတယ္။
ထရန္စစၥတာေတြကို အမ်ဳိးအစားအားျဖင့္ PNP Type ႏွင့္ NPN Type ရယ္လို႔ တည္ေဆာက္ပံုအေျခခံႏွစ္မ်ဳိးခဲြျခားထုတ္လုပ္ေၾကာင္းလည္း မွတ္သားခဲ့ရဖူးပါတယ္။
PNP Type ႏွင့္ NPN Type လဲြမွားမသံုးမိရန္သတိထားရမည့္အေၾကာင္း ၾကားဖူးမွတ္သားခဲ့ရတာျဖစ္ပါသည္။
အမ်ဳိးအစားမတူလွ်င္ Collector ထံသို႔ Power ေပးသြင္းဆက္သြယ္ပံု ကြာျခားတယ္ဟု ဆိုပါသည္။
ိထို႔အျပင္ ထရန္စစၥတာ တစ္ခု၏ Collector ကိုျဖတ္သန္းစီးဆင္းေနေသာ လွ်ပ္စီးေၾကာင္း သည္ Base တြင္စီးဆင္းေနေသာ လွ်ပ္စီးထက္ ပံုေသအခ်ဳိးအဆတစ္ခုျမင့္မားလ်က္ရွိေၾကာင္းသိရပါသည္။
သို႔ျဖစ္၍ထရန္စစၥတာကို လွ်ပ္စီးခ်ဲ႕ကရိယာအျဖစ္သံုးစဲြႏိုင္ေၾကာင္းသိနားလည္လာရပါသည္။
Emitter လွ်ပ္စီး မွာ Base current ႏွင့္ Collector Current ေပါင္းျခင္းႏွင့္ညီေၾကာင္းလည္း သိရပါသည္။
Base လွ်ပ္စီး လိုအပ္သလို ထိန္းခ်ဳပ္ေပးျခင္းျဖင့္ Electronic Switch အျဖစ္ ဖန္တီးအသံုးခ်ႏိုင္ေၾကာင္းလဲသိရပါသည္။
လိုအပ္ခ်က္အမ်ဳိးမ်ဳိးအရ ထုတ္လုပ္တည္ေဆာက္ထားပံုကိုမူတည္လ်က္
ဘိုင္ပိုလာ၊ ဖီးလ္အဖက္၊ မက္တယ္ေအာက္ဆိုဒ္၊ စသည္ျဖင့္ကဲြျပားျခားနားမႈရွိေသးေၾကာင္းလည္း သိရပါသည္။
Base current ရရွိရန္ အထူးစီစဥ္ထားေသာ ထရစစၥတာတို႕တြင္ Base terminal ကိုျမင္ေတြ႕ရမည္မဟုတ္ပဲ တည္ေဆာက္ပံုအေပၚမူတည္လ်က္ အလင္းေရာင္ရရွိျခင္း၊ အနီေအာက္ေရာင္ခ်ည္ကိုအာရံုခံသိျခင္း၊ သတၱဳပစၥည္းမ်ားလံုေလာက္စြာ နီးကပ္လာျခင္း စသည္တို႕ေၾကာင့္ Collector မွ Emitter သို႕ လွ်ပ္ကူးႏိုင္ေစသည္ဟုဆိုပါသည္။

IGBT ဆိုတဲ့အမ်ဳိးအစားကေတာ့ Power ပိုင္းႏွင့္ပတ္သက္လွ်င္သံုးေလ့ရွိၿပီး ယင္းတို႔တြင္ လွ်ပ္စီးထိန္းခ်ဳပ္ရန္ Base terminal မပါရွိေတာ့ဟုသိရပါတယ္၊
Current စီးဆင္းႏိုင္ရန္အတြက္ pulse width modulation (PWM) ထုတ္ေပးႏိုင္ေသာပတ္လမ္းမ်ားမ်ားျဖင့္ Gate မွတဆင့္ ထိန္းခ်ဳပ္ေပးေလ့ရွိေၾကာင္သိရပါသည္။
ေအ၇ာကိုရွင္းျပသူေတြက ဒီေနရာေတြကို သြားဖတ္ၾကည့္ဦးဟုလည္း ေျပာၾကားသြားခဲ့ပါတယ္ရွင္။

http://en.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor

ခင္မင္စြာျဖင့္
ေအ၇ာေမ

htetlinnaung
06-21-2010, 06:45 AM
မဂၤလာပါ ။
ထရန္စစၥတာ(Transistor) ေတြအေၾကာငး္ ဆိုေတာ ့ကြ်န္ေတာ့လညး္ တက္နိုင္သေလာက္ ၀င္ေရးဖို ့စိတ္ကူးမိပါတယ္။ကြ်မ္းကြ်င္စြာသိလို ့မဟုတ္တဲ ့အတြက္
အမွားမ်ားေတြ ့လွ်င္ေထာက္ျပေပးဖို ့နဲ ့ ကြ်န္ေတာ္ရဲ့အမွားသာ ျဖစ္ေၾကာငး္ၾကိ ုတင္ေျပာထားခ်င္ပါတယ္။သိရွိျပီး အီလတ္ထေရာနစ္ အင္ဂ်င္နီယာ သမားမ်ား
အတြက္ ရည္ရြယ္ခ်ငး္ မဟုတ္တဲ ့အတြက္ အားလံဳးသိျပီးသားေတြကို ေရးျပသလို ျဖစ္ေနမွာလညး္ စိုးလို့ပါ။ အခုမွ အီလတ္ထေရာနစ္ကို စတင္ေလ ့လာသူမ်ားကို
သာ ရည္ညြနး္ေရးသားျခင္းျဖစ္ပါတယ္။ကဲ စကားပလႅင္ခံတာမ်ားသြားျပီ။ :)
ပထမဆံုး ဘယ္သူေတြ စတင္ထြင္ခဲ့ တယ္ဆိုတာ မိိတ္ဆက္ခ်င္ပါတယ္။ေက်းဇူးတင္ထိုက္လို ့ပါ။ယေန ့လူတိုငး္ အီလတ္ထေရာနစ္ရဲ့အက်ိဳးေက်းဇူးေၾကာင့္
အခုလို ေခတ္မွီ လ်င္ျမန္တဲ ့ ကြန္ျပ ူတာေတြေပၚလာေတာ ့ ကြ်န္ေတာ္တို ့အားလံုးအတြက္ အဆင္ေျပတယ္မလား။Chatting နဲ ့Game သမားေတြဆို ေန ့တိုင္း ဦးခ်သင္ ့ပါတယ္။ ;D
ကြ်န္ေတာ္တို ့ျမန္မာနုိင္ငံလြတ္လပ္ေရးမရခင္တစ္နွစ္အလုိ ၁၉၄၇ ခုနွစ္မွာ Bell's lab ခန္းမွာ John Bardeen, Walter H. Brattain, and William B. Shockley တို ့
က တီထြင္ခဲ ့တာ ျဖစ္ပါတယ္။ ၂၀ ရာစုရဲ ့အၾကီးမွာဆံုး တီထြင္မွုလို ့ေတာင္ မွတ္တမ္းတင္ ဂုဏ္ျပ ုထားခဲ ့ပါတယ္။ :)
သိျပီးတဲ့အတိုင္း ထရန္စစၥတာ က အီလတ္ထေရာနစ္မွာ အဓိက အက်ဆံုး ပစၥည္း(Device ) ျဖစ္ပါတယ္။တပိုင္းလွ်ပ္ကူးပစၥည္း(Semiconductor) ေတြလည္း ျဖစ္ပါတယ္။
သူတို ့ကို ေလ့လာမယ္ဆိုရင္ အေျခခံအားျဖင့္ သူတို ့ရဲ ့ ရူပေဗဒပိုင္း(Physical ) ကို အရင္အေသးစိတ္သိထားရင္ ေနာက္ပိုင္းမွာ ေလ ့လာရတာ ပိုလြယ္ပါတယ္။
PN Junction နဲ ့ပတ္သက္ျပီး အေျခခံကို ကြ်န္ေတာ္ေရးထားတဲ ့လက္စမသတ္ဆက္မေရးျဖစ္ေသးတဲ ့Semiconductor materials ,Device and PN-Junction
ေခါင္းစဥ္ေအာက္မွာ နဲနဲ ဖတ္နိင္ပါတယ္ ။ ေၾကာ္ျငာတာမဟုတ္ပါဘူး။ ;D မေရးျဖစ္တာကလဲ က်န္းမာေရး သိပ္မေကာင္းလို ့စာေရးခ်င္ေပမဲ ့စိတ္သြားတိုင္းကိုယ္မပါျဖစ္ေနလို ့ပါ။
ထရန္စၥတာ ရဲ ့ semiconductor physic အပိုငး္နဲ ့ပတ္သက္ျပီး ကို ေဇယ်ာသန္း၀ငး္က ဆက္လက္ေဆြးေနြးေပးမယ္ဆိုေတာ့ ကြ်န္ေတာ္အေနနဲ ့အဲဒီအပိုငး္ေတြကို မေရးေတာ့ပါဘူး။
ထရန္စစၥတာေတြက ပံုစံအမ်ိဳးမ်ိဳး အရြယ္မ်ိဳးမ်ိဳး ထုတ္လုပ္တဲ့ အဖြဲ ့အစည္းေပၚမူတည္ျပီး အမ်ားအျပားရွိပါတယ္။ တကယ္ေတာ့ အဲဒီအပိုင္းကို ေလ ့လာမယ္ဆိုရင္ အမ်ားၾကီးရွိပါေသးတယ္။
Manufacturing processing အပိုင္းပါ။Technology (Layout )အပိုင္းလို ့လည္း သံုးပါတယ္။ ကြ်န္ေတာ္ အထင္ေျပာရရင္ ျမန္မာနိုင္ငံ ဘီအီးတန္းမွာ သီးသန္ ့ဘာသာရပ္အေနျဖင့္ သင္ေနျပီလား
မေနလားမသိပါ။ကြ်န္ေတာ္တို ့ေက်ာငး္သားတုန္းကေတာ့ မသင္ပါဘူး။ အခု ေဆြးေနြးမွာေတြကေတာ့ electrical ပိုင္း ဆိုင္ရာ အလုပ္လုပ္ပံု (Working principle) အပိုင္းကိုဘဲ ေဆြးေနြးသြားမွာပါ။
Transistor ေတြ ဘယ္ေနရာမွာ သံုးေနလဲနဲ ့ ဘယ္ေလာက္ေတာင္ ေသးငယ္လာသလဲဆိုတာကို သိရေအာင္ ၀ီကီက ေအာက္ကလင့္ေလးမွာ ၾကည့္ပါ။
http://en.wikipedia.org/wiki/Transistor_count
အဲဒီမွာ ယေန့ေခတ္ ကြန္ျပ ူတာေတြရဲ့ အဓိက Processor ေတြမွာ transistors ဘယ္ေလာက္အေရအတြက္ပါ၀င္တယ္ ဆိုတာနဲ ့ Processor ရဲ ့ဧရိယာနဲ ့ transistor ရဲ ့technology process
ကိုပါ ေတြ ့ရမွာပါ။အမ်ားစု သံုးေနတဲ ့ Intel ရဲ ့ Core 2 Duo မွာ tranistor ေပါင္း 291,000,000 လံုးပါပါတယ္။ process မွာ 65 nm ကို ေတြ ့ရမွာပါ။ နာနို (nano electronic ) ေခတ္ဆိုတာ
အဲဒါပါဘဲ။အဲဓိအထဲမွာ 32 nm အငယ္ဆံုးေတြ ့ရေပမဲ ့ကြ်န္ေတာ္ သိသေလာက္ေတာ့ 45 nm အထိ ဘဲ technical ပိုင္းအရထုတ္လုပ္နုိင္ေသးတယ္လို ့ကြ်န္ေတာ္ ့ဆရာက ေျပာခဲ ့ဘူးပါတယ္။
ေနာက္တခုၾကံ ုတုနး္ဆရာတစ္ေယာက္ေျပာတဲ့ စကားတစ္ခုကို ျပန္ေျပာရမယ္ဆိုရင္ ကိုလိုခ်င္တဲ ့ parameters ေတြနဲ ့ transistors တစ္လံုးကို ထုတ္လုပ္နိုင္ဖို ့ research လုပ္မယ္ဆိုရင္
နည္းပညာပိုင္းဆိုင္ရာ အေထာက္အကူ ပစၥည္းေတြနဲ ့ကြ်မ္းက်င္သူေတြ ရွိခဲ့ ရင္ေတာင္ အနညး္ဆံုး ၇နွစ္ေလာက္အခ်ိန္ေပးရမွာ ျဖစ္ျပီး ေငြေၾကးအေနနဲ ့ေဒၚလာသန္းခ်ီကုန္က်မယ္လို ့ဆိုပါတယ္။
ဒါေၾကာင့္ ထုတ္ျပီးသားေပါင္းေသာင္းေျခာက္ေထာင္ထဲက ကိုလိုတဲ ့ ဟာ ၀ယ္ျပီး design လုပ္တာ ေကာင္းတယ္ လို ့ဘဲ ဆိုရမလားျဖစ္ေနပါျပီ။ ဒါေၾကာင့္ ကြ်န္ေတာ္တို ့ျမန္မာမွာ မထုတ္ေသးတာ
ေနမွာပါ။ မလုပ္နိုင္လို ့မထင္ပါနဲ ့ ။ :4: :4: ကဲမိတ္ဆက္ ေတာ့ ဒီေလာက္ပါဘဲ မလိုဘဲ ရွည္ေနတာမ်ားသြားျပီ ။ေက်းဇူးတင္ပါတယ္ ။ :)

htetlinnaung
06-21-2010, 06:54 AM
မဂၤလာပါ
အခု ပထမဆံုး Transistor ေတြ အမ်ိဳးအစားေတြ ခြဲ ၾကည့္မယ္ဆိုရင္ အေျခခံအားျဖင္ ့ ပထမဆံုး အမ်ိဳးအစား ၂ ခုရွိပါတယ္။
သိျပီးျဖစ္တဲ ့ ၁။ Bipolar Junction Transistor (BJT) နဲ့
၂။ Junction Field-Effect Transistor (JFET) တို ့ျဖစ္ပါတယ္။
သူတို ့ကိုမွ BJT မွာ NPN နဲ ့PNP ဆိုျပီး ၂ မ်ိဳးထပ္ခြဲထားပါေသးတယ္။အဲလိုဘဲ FET မွာလဲ n-channel နဲ ့ p-channel ဆိုျပီးထပ္မံခြဲထားပါတယ္။
ၤၤFET မွာ ေနာက္ထပ္ အသံုးျပ ုလာတဲ ့နညး္ပညာကေတာ့ Isolated Gate Field-Effect Transistor (IGFET) ဆိုတာပါဘဲ။ဘာနဲ ့Gate ကို
isolated လုပ္ထားလဲဆုိရင္ Metel-oxide ဆိုတဲ ့အလြန္ပါးလႊာတဲ ့(thin layer) လုပ္ထားတာျဖစ္ပါတယ္။အဲဒီထရန္စစၥတာေတြကို
Metal-oxide Semiconductor FET (MOSFET) ေမာ့စ္အက္ဖ္အီးတီ (သို ့) ေမာ့စ္ဖတ္သ္ လို ့ေခၚသံဳးပါတယ္။ ယေန ့ေခတ္မွာေနာက္ဆံုး
integrated circuit (IC) design ေတြမွာဆံုးရင္ Complementary MOSFET (CMOS) စီေမာ့စ္ ေတြကို အက်ယ္ျပန္ ့ဆံုးသံုးစြဲေနပါတယ္။
အခုေနာက္ထပ္ BJT နဲ ့CMOS နည္းပညာကို single chip တခုထဲမွာဘဲ ေရာျပီး တည္ေဆာက္လာတဲ ့ BiCMOS (သို ့) BiMOS technology
ကို သံုးစြဲလာပါျပီ။ အေျခခံအားျဖင္ ့ BJT က စတင္ေလ ့လာရမွာျဖစ္ပါတယ္။ ဒါေပမဲ ့ယေန ့ေခတ္မွာ CMOS technology က အီလတ္ထေရာနစ္မွာ
အဓိက ျဖစ္လာတာ ျဖစ္တဲ ့အတြက္ေၾကာင္ ့ CMOS အပိုင္းကို ဘဲ ကြ်န္ေတာ္ ေဆြးေႏြး သြားမွာ ျဖစ္ပါတယ္။ တျခားသူေတြကလည္း BJT အပိုင္းကုိ
ေဆြးေနြးသြားၾကမယ္လို ့ေမွ်ာ္လင့္ပါတယ္။ ကြ်န္ေတာ္လည္းအဆင္ေျပရင္ ၀င္ေဆြးေႏြးနိုင္ေအာင္ ၾကိ ုးစားပါ ့မယ္။
အီလတ္ထေရာနစ္ကို စတင္ေလ ့လာတဲ့သူေတြအတြက္ CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor ) transistor ဆိုတာ ဘာလဲလို ့စစခ်င္း
မျမင္မွာ ဆိုးတဲ ့အတြက္ ေအာက္ကပံုကို cut လုပ္ျပီးတင္ေပးလုိက္ပါတယ္။
http://img710.imageshack.us/img710/184/capture1bf.png
ပံုမွာ ျမင္ရတဲ့အတုိင္း n-type substrate (body) တခုတည္းေပၚမွာ n-channel MOSFET နဲ ့ p-channel MOSFET ကို တည္ေဆာက္ထားတာျဖစ္ပါတယ္။
ဒီပံုက CMOS တည္ေဆာက္ပံုေတြထဲက ပံုစံတခုျဖစ္ပါတယ္။ n-type substrate ကို သံုးထားတာေၾကာင္ ့ n-channel MOSFET အတြက္ P -Well ခံျပီး
တည္ေဆာက္ထားတာ ျဖစ္ပါတယ္။ ဒါဆို ျမင္သာမယ္ထင္ပါတယ္။ ေဆြးေနြးမွာကေတာ့ FET က စတင္ေဆြးေနြးသြားမွာပါ။ လိုရင္းကို ျမင္သာေအာင္လို ့
ၾက ိုတင္မိတ္ဆက္ျခင္းျဖစ္ပါတယ္။ ဘာလို ့ယေန ့ေခတ္မွာ CMOS ေတြ က်ယ္ျပန္ ့စြာေနရာယူလာလဲဆိုတာကေတာ ့သူမွာ ေကာင္းတဲ ့အခ်က္ေတြ ရွိလို ့ပါ။
ဘာေတြလဲဆိုေတာ့ logic ckt(NAND ,OR,NOR..etc) and Memory ckt (RAM,ROM..etc) ေတြ တည္ေဆာက္ရာမွာ power consumption
နဲလာျခင္း ၊ျမင္မားတဲ ့switching speeds ရရွိျခင္း ၊ input impedance ျမင္ ့မားျခငး္ စတဲ့အက်ိဳးေက်းဇူးတို ့ေၾကာင့္ဘဲ ျဖစ္ပါတယ္။ေနာက္ CMOS IC ေတြရဲ ့ထူးျခားခ်က္က
integrated ckt တခုလံုးကို CMOS ေတြနဲ့သာလွ်င္ တည္ေဆာက္အသံုးျပ ုသြားျခင္းဘဲ ျဖစ္ပါတယ္။ ဆက္ပါဦးမယ္။ ေက်းဇူးတင္ပါတယ္။

htetlinnaung
06-21-2010, 05:49 PM
ဒီေန ့ ပထမဆံုး FET အေၾကာင္း စေျပာပါ ့မယ္။ စစခ်င္း BJT နဲ ့ဘာေတြ ျခားနားလဲဆုိတာ သိထားဖို ့လိုပါတယ္။
၁။ BJT ေတြက Current-controlled device ျဖစ္ျပီးေတာ့ JFET က Voltage -controlled device ျဖစ္ပါတယ္။
(ဆိုလိုတာက BJTမွာ collector current Ic က base current ရဲ ့ function ျဖစ္ျပီး FET မွာ Drain current Id က Input Gate to Source Voltage (Vgs) ရဲ ့ function ျဖစ္ပါတယ္။
၂။ BJT ကေတာ့ နာမည္မွာပါတဲ့ Biဆိုတဲ့စာလံုးအတိုင္း charge carriers ေတြျဖစ္တဲ ့ အီလတ္ထရြန္(electron) နဲ ့ဟိုးလ္ရ္ (hole) ၂ ခုလံုးရဲ ့စီးဆင္းမွု နွစ္ခဳလံုးေၾကာင္ ့ျဖစ္တဲ ့ current
conduction နဲ့ ပတ္သတ္ဆက္နြယ္ပါတယ္။ FET ကေတာ့ Unipolar device ျဖစ္ပါတယ္ ။ဆိုလိုတာက majority carrier တခုတညး္စီးဆင္းမွု current conduction နဲ ့ပတ္သတ္ပါတယ္။
N-channel မွာဆို electrons ေတြက အဓိက charge carriers ျဖစ္ျပီး P-channel မွဆို ့holes ေတြက အဓိကျဖစ္ပါတယ္။
၃။ FET မွာ အေရးပါတဲ ့တခ်က္က High input impedance ရွိျခင္းပါ။ 1-100 Meg Ohms ေလာက္တန္ဖိုးဟာ typical input resistance of BJT ထက္အလြန္မ်ားပါတယ္။ linear ac amplifier
system ေတြမွာ အေရးၾကီးတဲ့ အခ်က္တခုျဖစ္ပါတယ္။
၄။ FET ေတြက BJT ေတြထက္ ပိုျပီး temperature stable ျဖစ္ပါတယ္။
၅။ FET ေတြက BJT ေတြထက္ physical construction အရ ပိုေသးငယ္တာျဖစ္တဲ ့အတြက္ Integrated-circuit(IC) chips ေတြမွာ ပိုျပီး အဆင္ေျပ အသံုး၀င္ပါတယ္။

သိျပီးျဖစ္တဲ့အတိုင္း FET ေတြရဲ ့ckt symbols ကို ေအာက္မွာ ျပထားပါတယ္။
http://img718.imageshack.us/img718/880/capture2n.png
ပံုမွာ ျမင္ေတြ ့တဲ့အတိုင္း Gate မွာ arrow head ေလးဘဲကြာပါတယ္။ n-channel မွာဆိုရင္ pn-junction ကို forward-bias ေပးတဲ့အခ်ိန္မွာ စီးဆင္းမဲ ့ Ig ရဲ ့direction ကို ကိုယ္စားျပ ုပါတယ္။
p-channel အတြက္ဆို ေျပာင္းျပန္ျဖစ္ပါတယ္။ BJT မွာဆိုရင္လညး္ arrow head ေတြက current direction ကို ကိုယ္စားျပ ုဆြဲထားတယ္ဆိုတာ မွတ္မိၾကမယ္ထင္ပါတယ္။ P ၀င္ N ထြက္ ဆိုျပီး
အလြယ္မွတ္လို ့ရပါတယ္။ မေမ ့ေအာင္ pressure ၀င္ျပီး အန္ထြက္တယ္လို ့စိတ္မွာမွတ္ထားရင္ လညး္မေမ ့ပါဘူး။ အစဥ္ေျပသလိုသာ မွတ္ပါ မွတ္မိဖို ့ဘဲ အေရးၾကီးပါတယ္။ :)
ေအာက္မွာ n-channel FET ရဲ ့ basic construction ပံုကို ၾကည့္ပါ။
http://img529.imageshack.us/img529/7555/capture3b.png
ပံုမွာ ျမင္တဲ့အတိုင္း အဓိက n-type material က embedded layers of p-type material ၂ ခုၾကားမွာ channel (n-channel)တစ္ခုကို ျဖစ္ေစပါတယ္။သိျပီးတဲ့အတိုင္း 3 terminals device
ဆိုတဲ့အတြက္လအထက္နဲ ့ေအာက္မွာ Drain (D) နဲ ့Source(S) ကို n-type material တခုတည္းမွာဘဲ Ohmic contact ကို ျဖတ္ျပီး ခ်ိတ္ဆက္ထားပါတယ္။ Ohmic contact ဆိုတာကေတာ့ metal -semiconductor junction ကို ဆိုလိုတာျဖစ္ပါတယ္။semiconductor device ေတြကိုထုတ္လုပ္ဖို ့ေလ ့လာတအခါ ေတြမွာ ဆို အေရးပါတဲ့အခ်က္ေတြ ျဖစ္ပါတယ္။
ေနာက္တစ္ခုက p-type material ၂ ခုကို အတူေပါင္းျပီး Gate(G) နဲ့ခ်ိတ္ထားပါတယ္။ဒီပံုဟာ ျပင္ပကေန မည္သည္ ့ bias မွ မေပးရေသးတဲ့အေျခအေန ျဖစ္ျပီး pn-junction ၂ ခု ရွိေနတာေတြ ့ရမွာျဖစ္ပါတယ္။အဲဒီမွာ ျဖစ္ေနတဲ ့ depletion region ဆိုတာ no free charge carriers ျဖစ္ေနတဲ ့အပိုင္းျဖစ္တယ္ဆိုတာ မွတ္မိမယ္ထင္ပါတယ္။ ္free charge carriers မရွိတဲ ့အတြက္ ideal အရ current ျဖတ္မစီးနိုင္ဘူးဆိုတာလည္း မွတ္မိမယ္ထင္ပါတယ္။ေနာက္ပို ့စ္မွာ bias ေပးလိုက္တဲ ့အခါ ျဖစ္လာမဲ ့အပိုငး္ကို ဆက္ပါ့မယ္။ ေက်းဇူးတင္ပါတယ္။ :)

ေအ၇ာ
06-21-2010, 08:10 PM
Transistors ေတြအေၾကာင္းကို အေျခခံအပိုင္းမွစတင္ေလ့လာစသူမ်ားအတြက္ လက္ေတြ႔အသံုးျပဳနည္းရႈေထာင့္မွ အေတြ႕အႀကံဳေလးမ်ားျဖင့္တင္ျပလိုပါတယ္ရွင္။
ေအ၇ာကိုယ္ေတြ႕ေတာ့မဟုတ္ေပမယ့္ ကိုယ္ေတြ႕လုပ္ခဲ့သူ သူငယ္ခ်င္းတစ္ေယာက္ကေျပာဖူးတာေလးပါ။ မွတ္သားမိသေလာက္ေလးတင္ျပပါမယ္ရွင္။
သူ႕နာမည္က ေအးကိုကိုတဲ့၊ သူငယ္ငယ္က ဦးေလးႀကီးတစ္ေယာက္နဲ႕အမွတ္မထင္ခင္ခဲ့ရတယ္တဲ့။ အဲဒီဦးဦးက ကက္ဆက္ျပင္တတ္တယ္တဲ့၊ အလုပ္အားရင္ သူနဲ႕အေဖၚလုပ္ကစားေပးတတ္ၿပီး သူအလုပ္ရႈပ္ေနရင္ေတာ့ ကိုကိုက ကူေပးရတယ္ဆိုပဲ။ အဲဒီတုန္းက ကိုကိုက ဘယ္အရြယ္လဲဆိုေတာ့ ၈ႏွစ္ေလာက္ပဲရွိေသးတာတဲ့။
ဘာေတြဘယ္လိုသင္ေပးလဲေျပာျပပါဦးေမးၾကည့္ေတာ့
အတူကစားရင္းနဲ႕ စကားမေျပာပဲနဲ႕ လက္ေတြ႕သိလာလုပ္တတ္ေအာင္တျဖည္းျဖည္းသင္ေပးတာကြလို႔ေျပာပါတယ္။
ဟင္အဆန္းပါလားဆိုေတာ့ မွတ္မိသေလာက္ျပန္ေျပာမယ္နားေထာင္တဲ့။
သူစၿပီးစိတ္၀င္စားမိတာက LED ေသာ့ခ်ိတ္မီးေလးတဲ့။ ဦးဦးက အဲဒါေလးကိုလက္နဲ႕ဖိညွစ္မီးလင္းျပေတာ့ သူကလိုက္လုၿပီး မီးထြန္းစမ္းၾကည့္ရင္းေပ်ာ္ေနတုန္းမွာ ထက္ျခမ္းခဲြဖြင့္ျပတယ္တဲ့၊ ၿပီးေတာ့ ထြက္လာတဲ့ ဓါတ္ခဲေလးနဲ႕ စားပဲြေပၚမွာရွိတဲ့ တျခားမီးလံုးေလးေတြကိုပါအေရာင္စံုေအာင္ တစ္ခုၿပီးတစ္ခုလင္းေအာင္ဆက္ျပတာတဲ့။ သူလိုက္လုပ္ေတာ့ လင္းတဲ့အခါလင္းၿပီး မလင္းတာလဲရွိေနေရာတဲ့၊ ဦးဦးထပ္ျပန္လုပ္ျပတာကို ေသျခာၾကည့္မွ မီးလံုးႏွင့္ဓါတ္ခဲမွန္ေအာင္ဆက္မွ မီးလင္းတာရယ္ မီးလံုးအျဖဴေလးေတြက အနီေရာင္လင္းခ်င္လို႔လည္းရၿပီး အစိမ္းေရာင္လင္းခ်င္လို႕လည္းရတာေတြသူသိလာတယ္ေျပာပါတယ္။
ေနာက္ပိုင္းက်ေတာ့ ပေရာဂ်က္ဘုတ္ေပၚမွာ အနီေရာင္မီးလံုးနဲ႕ အစိမ္းေရာင္မီးလံုးကို တစ္လွည့္စီလင္းေစတဲ့ ပတ္လမ္းေလးဆက္သြယ္ျပတယ္တဲ့။ ပေရာဂ်က္ဘုတ္ကိုလည္း ဓါတ္ခဲျပားေလးရယ္ ရီစစၥတာေတြရယ္ LED ေတြနဲ႕ရယ္ ေလွ်ာက္ဆက္ေစၿပီးကစားၾကဖူးလို႕ ဘယ္မွာအဆက္အသြယ္ရွိတယ္ဆိုတာသူကသိေနၿပီတဲ့။
ပတ္လမ္းေပၚကရုပ္ပံုနဲ႕ တကယ့္ပစၥည္းေတြလဲ တခ်ဳိ႕ဆိုယွဥ္တဲြသိေနတာတဲ့ရွင့္။
သူက သီအိုရီကိုလည္းမသိဘူး၊ ဘယ္လိုထုတ္လုပ္တယ္ဆိုတာေ၀းလို႕ နာမည္ေတာင္ေသျခာမေခၚတတ္ေသးဘူးေပါ့၊ ေစ်းႏႈန္းတန္ဖိုးလဲသိဘူးတဲ့။
ဒါေပမယ့္ စားပဲြေပၚက ပစၥည္းေလးေတြကို အေပ်ာ္ကစားစရာအျဖစ္ အသံုးခ်ကစားႏိုင္တဲ့နည္းေလးေတြကိုနည္းနည္းပါးပါးသိေနတာလို႔ဆိုပါတယ္။
သူေျပာဖူးတာကို ေအ၇ာေနာက္ပိုင္းမွာျပန္စဥ္းစားမိေတာ့ အခုေအာက္မွာေဖၚျပထားတဲ့ LED Flip Flop Circuit ေလးကို သူစမ္းသပ္ကစားခြင့္ရခဲ့တာလို႕ သေဘာေပါက္မိလာပါတယ္။

http://www.techlib.com/electronics/graphics/wpe1.gif

အဲဒီပတ္လမ္းပံုေလးအတိုင္း မွန္ကန္စြာဆက္သြယ္ႏိုင္ခဲ့လွ်င္ Flip Flop ေလးအလုပ္လုပ္မွာပါ။
ေအာက္က ပံုမွာလိုေပါ့ေနာ္၊ Resistor တန္ဖိုးကဲြေပမယ့္လည္း အလုပ္လုပ္ပံုအေျခခံသေဘာတရားက အတူတူပဲျဖစ္ပါတယ္ရွင္။ (ခလုပ္အမဲေရာင္ေလးက ထိကပ္ၿပီးေနရမွာပါ)

http://talkingelectronics.com/FreeProjects/5-Projects/The-flip-flop-in-action-complete.gif
အခုေနမွာေတာ့ Transistor ေလးေတြက Switching လုပ္ေပးလို႔ Flip Flop ေလး တစ္လွည့္စီလင္းမွတ္ လင္းမွိတ္ျဖစ္ရတယ္ဆိုတာ ေအ၇ာလည္းေျပာႏိုင္ေနပါၿပီ။ ဘယ္လိုအေျခအေနမွာ Switch On ၿပီး ဘယ္လိုအေနအထားမွာ Switch Off ျဖစ္သြားတာလဲ ဆိုတာလည္း သေဘာေပါက္ၿပီေပါ့ရွင္။
ပတ္လမ္းမွာ ပါ၀င္တဲ့ Resistor ေလးေတြ ႏွင့္ Capacitor အသံုးျပဳထားတဲ့ရည္ရြယ္ခ်က္ႏွင့္ အလုပ္လုပ္ေဆာင္ပံုကိုေရာေပါ့ေနာ္။
ဒီအေၾကာင္းေတြကို ကိုကိုျပန္ျပန္ေျပာစဥ္တုန္းထဲက စိတ္ပါ၀င္စားေငးေမာနားေထာင္ခဲ့ရတာဆိုေတာ့ အခြင့္သင့္သလို စပ္စုေမးျမန္းေလ့လာရင္း တစ္စတစ္စတိုးတက္သိလာတာေလးေတြဆိုပါေတာ့ရွင္။

MEF မွာ လူအမ်ားစုကေတာ့ ဒါမွ်မက သိထားၿပီးသားျဖစ္ေနၾကတာပါ။

ဒါေပမယ့္ ၀ါသနာရွင္ လက္သင္လူငယ္ေလးေတြ စိတ္ပါ၀င္စားအက်ဳိးမ်ားတယ္ဆိုလွ်င္ျဖင့္ ဆက္ပါဦးမယ္ရွင္
ေလးစားစြာျဖင့္
ေအ၇ာေမ

ေအ၇ာ
06-21-2010, 08:54 PM
ကိုကိုႏွင့္ အဲဒီ ဦးဦး ကစားၾကပံုကို တဆင့္ၾကားရၿပီး မျမင္ခဲ့ရတဲ့ ေအ၇ာကလည္း စာအုပ္ေတြရွာဖတ္ၿပီး နီးစပ္ရာကိုေမးျမန္းၾကည့္ေတာ့
ခရစ္စတယ္ေက်ာက္ လို႕ေခၚတဲ့ ဂ်ာေမနီယန္းဒိုင္အုပ္ ေရဒီယိုအေၾကာင္းေတြ၊ စီလီကြန္ဒိုင္အုပ္အေၾကာင္းေတြ၊ PN Junction အေၾကာင္းနဲ႕ အဲဒီကမွ Transistor အေၾကာင္းေတြသိလာရပါတယ္။
ၿပီးေတာ့ Transistor မွာ တည္ေဆာက္ထားပံုအရ NPN နဲ႕ PNP သာ ကြာျခားတာမဟုတ္ပဲ ႀကိမ္ႏႈန္းနိမ့္ပိုင္းသံုးဖို႕နဲ႕ ႀကိမ္ႏႈန္းျမင့္ပိုင္းသံုးဖို႕ရယ္လို႕ကြာျခားေသးေၾကာင္းသိလာရပါတယ္။
ႀကိမ္ႏႈန္းနိမ့္တယ္ဆိုတာက သက္ရွိသတၱ၀ါေတြရဲ႕ နားႏွင့္ၾကားႏိုင္ေသာ တုန္ခါမႈမ်ဳိးျဖစ္ေၾကာင္း ေယဘုယ်အားျဖင့္ မွတ္သားခဲ့ရၿပီး ေရဒီယိုဖရီကြင္စီ ေခၚ RF လိႈင္းတို႔အား ႀကိမ္ႏႈ္းျမင့္သည္ဟုသိနားလည္ခဲ့ရပါတယ္။
Transistor ေတြကို A, B, C, D ဟု အတန္းအစား ေလးမ်ဳိးခဲြျခားထုတ္ေလ့ရွိေၾကာင္း ၾကားဖူးခဲ့တာျဖစ္ပါတယ္။
ေၾကးညိွတက္ေနတဲ့ ဒဂၤ ါးျပားအေပၚ တြယ္ခ်ိတ္ အပ္ျဖားျဖင့္လိုက္လံေထာက္ကာ စမ္းသပ္နားေထာင္ရတဲ့ ဓါတ္ခဲမလို Power မသံုးတဲ့ ေရဒီယိုမ်ဳိးရွိေၾကာင္းကအစ၊ လိႈင္းဖမ္း၊ လိႈင္းစစ္၊ လိႈင္းခ်ဲ႕ရယ္လို႕ အဆင့္သံုးဆင့္ပါ၀င္ေသာ ေရဒီယိုမ်ား၊
လိႈင္းထုတ္ၿပီး လိႈင္းေရာစပ္ေပးေသာအဆင့္ပါ၀င္သည့္ 4 State Radio မ်ား၊ အေၾကာင္းကိုပါ ရွင္းျပႏိုင္ေသာ မိတ္ေဆြမ်ားျဖင့္ဆံုစည္းရတာျဖစ္လို႔ Transistor ေတြကို လွ်ပ္စီးခ်ဲ႕ ကရိယာအျဖစ္ ေရဒီယိုႏွင့္ အမ္ပလီဖိုင္ယာေတြမွာအသံုးျပဳထားပံု အေျခခံမ်ားသိနားလယ္ခဲ့ရပါတယ္ရွင္။
ေအ၇ာကိုရွင္းျပသူေတြအနက္ တစ္ဦးကေတာ့ ကိုစိုးလို႕ လူသိမ်ားလွတဲ့ ရန္ႀကီးေအာင္ရပ္ကြက္မွ ဦးျမေမာင္း ျဖစ္ပါတယ္။
ေလးစားစြာျဖင့္

ေအ၇ာေမ

htetlinnaung
06-22-2010, 12:39 AM
မဂၤလာပါ။
ျပီးခဲ ့တဲ ့ပို ့စ္ကို ဆက္ပါ ့မယ္။ ကြ်န္ေတာ္တို ့ ခုနက no bias condition ကေန အခု Vgs = 0V ေပးျပီး Vds ကို positive value တစ္ခုေပးပါ ့မယ္။ ေအာက္ကပံုကိုၾကည္ ့ပါ။
http://img697.imageshack.us/img697/2968/capture4qn.png
ပံုမွာ Id က drain (D) ကေန source (S) ဆီကို စီဆင္းပါတယ္။ဘာလို ့လညး္ဆိုေတာ့ အီလတ္ထရြန္ေတြက Drain ဆီကို ဆြဲျခင္းခံရလို ့ပါဘဲ။ အဖိုရွိရာ အမေတြ ေျပးလာတဲ ့သေဘာပါ။
အမ်ိဳးမတူရင္ လူေတာင္မဟုတ္ဘူး သူတို ့လည္းဆြဲတာဘဲဗ်။ ;D ;Dဒီေနရာမွာ အေသးစိတ္မေရးေတာ့ပါဘူး ။ ပံုမွာ သတိထားမိစရာတခုက drain ဘက္ျခမ္းမွာ Depletion region ကပိုက်ယ္ေနတဲ့အခ်က္ပါ။
ဘာေၾကာင္ ့ျဖစ္ရလဲဆိုတာကို ရွင္းရမယ္ဆိုရင္ ေအာက္ကပံုကို ထပ္ၾကည့္ပါ။
http://img413.imageshack.us/img413/923/capture5a.png
ပံုမွာ ဆိုရင္ channel တစ္ေလွ်ာက္ uniform resistance ရွိတယ္လို ့ယူဆထားျပီး တေလွ်ာက္လံုးမွာ က်ေရာက္ေနမဲ ့voltage level ေတြကို ျပထားပါတယ္။ ေအာက္ဆံုးမွာ 0.5 V ျဖစ္ျပီးထိပ္ဆံုးမွာ
1.5 V ျဖစ္ပါတယ္။ pn-junction မွာ reverse bias ပိုေပးေလ depletion region က ပိုက်ယ္ေလပါဆိုတဲ ့အခ်က္ပါ။ ဒီေတာ့ Drain ဘက္ျခမး္နားမွာ ပိုက်ယ္ေနတာ ျဖစ္ပါတယ္။
ေနာက္သတိထားစရာ တခ်က္က Gate curretn Ig က 0 A (သုည အမ္ပီယာ) ဘဲျဖစ္ပါတယ္။
ကဲ ဒီအခ်ိန္မွာ ကြ်န္ေတာ္တို ့ Vds (drain to source voltage) ကိုတိုးေပးလာပါမယ္။ Id versus Vds ဂရပ္ကို ေအာက္မွာ ၾကည့္ပါ။ ဒီ curve ကို ဘယ္ေတာ့မွ မေမ ့ဖို ့လိုပါတယ္။ ဘယ္အခ်ိန္ခ်ိန္ျဖစ္ျဖစ္
သိေနရမဲ့ အခ်က္ပါ။ အင္ဂ်င္နီယာမွာ characteristic curve တခုကို သိထားမွာသာ ဒ ီdevice ရဲ ့အလုပ္လုပ္ပံုကို သိမွာ ျဖစ္ျပီး ဘယ္အတြက္သံုးနိုင္တယ္ဆိုတာ သိမွာ ျဖစ္ပါတယ္။ ဆရာေတြစကားနဲ ့ေျပာရရင္curve ေတြကို ၾကည္ ့တက္ဖတ္တက္လို ့ရွိရင္ အလုပ္လုပ္လို ့ရပါျပီ။ Graphical method က equation ေတြကို ၾကည္ ့ရတာထက္ပိုျပီး ျမင္သာ ထင္သာရွိပါတယ္။ တခုနဲတခု ဘယ္လို Depend ျဖစ္ေနတယ္ဆိုတာ ကို Graph ေတြက အေကာင္းဆံုး ရွင္းျပနိုင္လို ့ပါ။ဒါက စကားခ်ပ္ေပါ ့။
http://img256.imageshack.us/img256/5467/capture6m.png
ကဲ ဂရပ္အရဆိုရင္ Vds တုိးလာတာနဲ့ အတူ Id ကလညး္ တက္လာပါတယ္။ Vds တန္ဖိုးက ေနာက္ဆံုး Vp ကို ေရာက္တဲ့အခါမွာ Id က ကိန္းေသ (const) နီးပါးျဖစ္သြားတာကိုလညး္ ေတြ ့ရမွာ ျဖစ္ပါတယ္။
ဘာလို ့အဲလိုျဖစ္သြားလဲဆိုေတာ့ အေပၚမွာ ေျပာခဲ ့သလိုပါ ဘဲ Depletion region က တျဖည္းျဖည္းက်ယ္လာျပီး channel width က က်ဥ္းလာကာ path of conduction (current စီးနိုင္မဲ ့လမ္းေၾကာငး္) က
က်ဥ္းလာလိုက္တာ ေနာက္ဆံုး ထိသြားတဲ ့အခ်ိန္ပါ။ ေအာက္က ပံုကို ၾကည့္ပါ။
http://img580.imageshack.us/img580/6077/capture7w.png
ဒါကို pinch-off ျဖစ္တယ္လို ့ေခၚဆိုျပီး အဲဒီ Vds ကို pinch-off voltage (Vp )လို ့ေခၚပါတယ္။ အဲဒီအခ်ိန္မွာ ျဖစ္လာတဲ ့
Id ကို Id saturation ( ျပည့္၀သြားတဲ ့ လွ်ပ္စီး) Idss လို ့ေခၚပါတယ္။ ဒီေနရာမွာ pinch-off ျဖစ္သြားတယ္ဆိုတာ Id = 0 A လို ့ဆိုလုိတာမဟုတ္ပါဘူး။ စကားလဳ ံးအရ နားလည္မွူမွားသြားနိုင္လို ့ပါ။
တကယ္ေတာ့ အဲလိုထိေနေပမဲ ့အလြန္ေသးငယ္တဲ့ channel ေလးရွိေနေသးတာ ျဖစ္ပါတယ္။ ဒီေနရာမွာ နားလည္ေအာင္ ေျပာရမယ္ဆိုရင္ Id = 0A လို ့ျဖစ္သြားလို ့ရွိရင္ ဒီ channel ကို ျဖတ္ျပီး pn-junction
တေလွ်ာက္ျျဖစ္ေနတဲ ့အမ်ိဳးမ်ိဳးေသာ potential levels ေတြလညး္ မရွိေတာ့ဘဲ အခု pinch-off ကို ျဖစ္ေစတဲ ့ depletion region လဲ ျဖစ္လာမွာ မဟုတ္ေတာ့ပါဘူး။ ဒါဆို ရွင္းမယ္လို ့ထင္ပါတယ္။
ဒီေတာ့ result တခု ထုတ္ၾကည္ ့မယ္ဆိုရင္ Idss (drain saturation current) က Vgs=0V နဲ ့Vds = Vp ျဖစ္ေနတဲ ့အခ်ိန္မွာ ရွိေနတဲ ့ maximum drain current ဘဲ ျဖစ္ပါတယ္။
ကြ်န္ေတာ္ မိတ္ဆက္တုန္းက ေျပာခဲ ့တဲ ့အတုိငး္ FET က voltage control device ျဖစ္တဲ ့အတြက္ သူရဲ ့ Vgs တန္းဖိုးက JFET ရဲ ့ control voltage ျဖစ္ပါတယ္။ ဒီေတာ့
ေနာက္ပို ့စ္မွာ Vgs တန္းဖို းကို ျဖည္းျဖည္းခ်င္း ေလွ်ာ့ေပး (negative value) လာရင္ ဘယ္လို ျဖစ္လာမလဲဆိုတာ ဆက္ပါ ့မယ္။ ေက်းဇူးတင္ပါတယ္။
p.s
ဒီပို ့စ္ထဲမွာ ေရးထားတဲ ့ current နဲ ့ voltage ေတြက DC တန္ဖိုးေတြခ်ညး္ျဖစ္ပါတယ္။ Index မွာ တကယ္ေတာ့ အၾကီးေတြနဲ ့ေရးရမွာပါ။ Type ရတာ အဆင္မေျပလို ့small letter ေတြနဲ ့ေရးထားလို ့နားလည္မွဳလြဲေနမွာ ဆိုးလို ့ပါ။ အခုလို အလုပ္လုပ္ပံုကို ေရးျပေနရျခင္းကလညး္ ထရန္စၥတာေတြသံုးျပီးတည္ေဆာက္ထားတဲ ့ဆားကစ္ေတြရဲ ့အလုပ္လုပ္ပံု ေတြကို ျမင္နိုင္ဖို ့က ဒီတစ္လံုးထဲရဲ ့ အလုပ္လုပ္ပံုကိုျမင္ေနမွ အဆင္ေျပမွာ ျဖစ္လို ့ပါ။

htetlinnaung
06-22-2010, 08:18 PM
မဂၤလာပါ။
ေရွ ့ကပို ့စ္မွာ ကြ်န္ေတာ္ စခဲ ့သလိုဘဲ ဒီတခုမွာ FET ရဲ ့ control voltage ျဖစ္တဲ ့ Vgs တန္ဖိုးကို နည္းျပီးေလွ်ာ့ေပးၾကည့္ပါ ့မယ္။ Negative တန္ဖိုးေတြ ျဖစ္ပါတယ္။ မွတ္ထားဖို ့လိုပါတယ္။
ေအာက္ကပံုကို ၾကည့္ပါ။
http://img571.imageshack.us/img571/7554/capture8v.png
Vgs တန္ဖိုးကို negative value ေပးတယ္ဆုိတာ gate terminal က source terminal နဲ ့နွုိင္းယွဥ္ျပီး ပုိျပီးငယ္ျခငး္ျဖစ္ပါတယ္။
ပံုမွာေတာ့ -1 V ေပးထားပါတယ္။ အဲဒီအခ်ိန္မွာရလာတဲ ့ drain current Id curve ေတြကိုေလ ့လာၾကည့္ပါ။ Id saturation ကေလ်ာ့က်လာသလို Vds ရဲ ့ pinch-off voltage ကလည္းနဲနဲလာပါတယ္။ေနာက္ဆံုး Vgs = - Vp လညး္ေရာက္ေရာ Id saturation က 0 A (သုည အမ္ပီယာ) ျဖစ္သြားပါတယ္။ အဲဒီအခ်ိန္ကို device turned off ျဖစ္တယ္လို ့ဆုိပါတယ္။ ေအာက္က Graph ကိုၾကည့္ပါ။
http://img526.imageshack.us/img526/6435/capture9.png
ပံုမွာ အပုိင္း ၂ ခုကို ျမင္ရမွာျဖစ္ပါတယ္။ dash line နဲ့ ျပထားတာက ေတာ့ locus of pinch-off values ျဖစ္ပါတယ္။ ဒီေတာ့ pinch-off locus ရဲ ့ညာဘက္ (saturation region ပိုင္း)ကို ကြ်န္ေတာ္တို ့သိျပီးျဖစ္တဲ့အတိုင္း linear amplifier ေတြအတြက္ သံုးပါတယ္။ ေယဘုယ်အားျဖင့္ constant-current , saturation or linear amplification region အျဖစ္ ကိုယ္စားျပ ုပါတယ္။
ဒုတိယအပိုင္း ဘယ္ဘက္ျခမ္း အပိုင္းကေတာ့ Ohmic or voltage-controlled resistance region လို ့ေခၚဆိုပါတယ္။ Automatic gain control system ေတြမွာ variable resistor အျဖစ္သံုးပါတယ္။
သူရဲ ့ resistance တန္ဖိုးကို Vgs( gate to source voltage) နဲ ့control လုပ္ပါတယ္။ ဒီေတာ့ Drain နဲ ့ source ၾကားက resistance တန္ဖိုးက Vgs ရဲ ့ function ျဖစ္ေနပါတယ္။ ေအာက္က
ညီမွ်ျခင္း (equation) ကို အရ ဆက္သြယ္ပါတယ္။
http://img80.imageshack.us/img80/1135/capture12e.png

တဆက္တည္း P-channel FET ကိုပါ ဆက္ေဆြးေနြြးပါ ့မယ္။ သိျပီးၾကတဲ ့အတိုင္း n-channel နဲ ့ရဲ ့အလုပ္လုပ္တာေတြနဲ ့ပံုစံအတူတူ ျဖစ္ျပီး ကြာျခားတာကေတာ့ current direction က ေျပာင္းျပန္ျဖစ္ျပီး Vgs နဲ ့Vds ေတြရဲ့ ကလည္းေျပာင္းျပန္ျဖစ္ပါတယ္။ေအာက္ကပံုကိုၾကည့္ပါ။
http://img441.imageshack.us/img441/7/capture10.png
ေနာက္ျပီး သူရဲ ့ characteristic curve ကို ေအာက္မွာ ျပထားပါတယ္။
http://img28.imageshack.us/img28/9652/capture11g.png
ဒီေနရာမွာ သတိထားရမွာက Vds ေရွ့မွာ minus signs ေတြ ကို မသံုးဖို ့ပါ။ တြက္တဲ့အခါေရာေထြးနိုင္လို ့ပါ။ တကယ္ေတာ့ source potential က drain ထက္ပိုျပီး ျမင္မားတဲ ့potential ရွိေၾကာင္းညႊန္ျပရံု သာျဖစ္ပါတယ္။
ေနာက္တခုက ညာဘက္အျခမး္မွာ Breakdown region ပါ။ transistor ရဲ ့ data sheet ( သို ့) specification sheet မွာ Vds max ကို ေပးထားေလ ့ရွိပါတယ္။ တကယ္ ့လက္ေတြ ့မွာဆိုရင္ Vds တန္ဖိုးက Vgs ထက္ငယ္ပါတယ္။
ေနာက္ပို့ စ္မွာ ကြ်န္ေတာ္တို ့ယေန ့အသံုးအမ်ားဆံုး ျဖစ္လာတဲ ့MOSFET အေၾကာင္းဆက္ပါ ့မယ္။ ေက်းဇူးတင္ပါတယ္။

တင္မ်ဳိးဇင္
06-27-2010, 04:48 PM
ေက်းဇူးပါပဲ။ transistors ကို theory နဲ ့ အသုံးခ်တဲ့ circuits ပါတဲြ ရွင္းေပးပါလား..။

htetlinnaung
06-29-2010, 06:51 AM
မဂၤလာပါ..
ကိုတင္မ်ိဳးေဇာ္ေျပာသလိုပါဘဲ circuit နဲ့ပါ တြဲရွင္းနိင္ရင္ေတာ့ ပိုေကာင္းပါတယ္။ေနာက္ပိုငး္မွာ ကြ်န္ေတာ္လညး္ သိသေလာက္ ၀င္ေဆြးေနြးပါ ့မယ္။ အခု ကိုတင္မ်ိဳးေဇာ္ ကိုယ္တိုင္လည္း သိရွိသေလာက္ ၀င္ေရး၀င္ေဆြးေႏြးပါလို ့အၾကံျပ ုခ်င္ပါတယ္။ အခုေတာ့ ကြ်န္ေတာ္အရင္အပတ္က စခဲ ့သလိုဘဲMOSFET ေတြအေၾကာင္းဆက္ပါ ့မယ္။
္သိျပီးတဲ ့အတိုငးသူ ့မွာ enhancement-type နဲ ့depletion-type ဆိုျပီး ၂မ်ိဳးရွိပါတယ္။သူတို ့တမ်ိဴးစီမွာ
မွ သီျပီးတဲ့အတိုင္း n-channel နဲ့ p-channel ဆိုျပီး ရွိပါတယ္။ ေရးသားေရးရတာ ဖတ္တဲ့သူေတြအတြက္ သိျပီးသားေတြ ျဖစ္ေနရင္ အခ်ိန္ျဖ ုန္းသလို
ျဖစ္ေနမွာလဲ စိုးမိတယ္။ဘာလို့လည္းဆိုေတာ့ ခ်က္ခ်င္း circuit ပိုင္းကို သြားခ်င္သိခ်င္ေနသူမ်ားေနမယ္ ယူဆမိလို ့ပါ။ ကြ်န္ေတာ္လဲ ရိုးရိုးသားသားေျပာရရင္ အဲေလာက္မသိပါဘူး။
အဲဒီနယ္ပယ္မွာ အခ်ိန္တခုေပးျပီးေလ ့လာလုပ္ကိုင္ေနတဲ့သူေတြက ပိုျပီးေဆြးေနြးနုိင္ပါလိမ ့္မယ္။ကြ်န္ေတာ္ေျပာနိုင္တာတခုကေတာ့ အေျခခံေကာငး္ေကာင္းရွိသြားရင္
မိမိေလ ့လာလိုတဲ့ circuit နယ္ပယ္မွာ တဆင့္ျပီးတဆင့္ ေလ ့လာနားလည္လာနုိင္ပါလိမ့္မယ္။ စာအုပ္ေတြဖတ္ဖို ့လိုသလို လက္ေတြ ့မွာလဲ လုပ္နိုင္လာမွ သိလာမွာပါ။
တခါတေလ စာအုပ္နဲ့ရွင္းျပေနရတာ အရမ္းၾကာျပီး လက္ေတြ ့ျပလိုက္တာက ျမန္ျမန္ထိေရာက္နားလည္မွတ္မိလြယ္တဲ ့အခါေတြရွိပါတယ္။ အခုေတာ့ ကြ်န္ေတာ္အေနနဲ ့
စတင္ေလ ့လာသူေတြကို အေထာက္အပ့ံေပးရံု ေဆြးေႏြးတဲ ့သေဘာပါ။ အဂၤလိပ္လုိ့ဖတ္ရတာ တခါတေလ အၾကာၾကီးဖတ္ေနရေတာ့ စိတ္က ပ်င္းလာတက္ပါတယ္။
ဒါေၾကာင့္ ျမန္မာလို ့ဖတ္ရတာ အခ်ိန္ကုန္သက္သာျပီး တခါတေလေတာ့ ကိုသိတာနဲ ့ပိုနားလည္ ျမင္သြားတဲ ့အေျခအေနမ်ိဳးေလး ျဖစ္ေအာင္လို ့ပါ။ကဲ ဆက္ပါ ့မယ္..
ပထမဆံုးး MOSFET ရဲ ့Physical structure ကေန စသြားၾကရေအာင္ပါ။အခုရွင္းျပမဲ ့MOS ဟာ enhancement-type ေတြခ်ည္းပါဘဲ။ depletion-typeကို ေနာက္ဆံုးမွ
ေဆြးေႏြးပါ ့မယ္။ေအာက္မွာ physical structure နဲ ့ckt symbol ေတြကိုၾကည့္ပါ။မွတ္မိဖို ့လိုပါတယ္။တခ်ိဳ ့စာအုပ္ေတြမွာ ckt ေတြကိုၾကည့္တဲ့အခါ မခြဲတက္ျဖစ္တက္လို့ပါ။
http://img204.imageshack.us/img204/6618/capture13b.png

symbol ေတြကို ထပ္ၾကည့္ပါ။ ေတြ ့ရမဲ ့ symbol ေတြျဖစ္ပါတယ္။ မွတ္မိဖို ့လိုပါတယ္။

http://img820.imageshack.us/img820/4497/capture14.png http://img199.imageshack.us/img199/6826/capture15d.png

ပံုမွာ ျမင္ရတဲ့အတိုင္း 4 terminals ရွိပါတယ္။ Gate(G) ,Drain(D),Source(S), Substrate or body or bulk (S or B)တို ့ ျဖစ္ပါတယ္။symbol ေတြမွာျမင္ရတဲ့အတိုင္း
arrow head က simplified symbol ေတြမွာ source terminal မွာ ျပထားျပီး current direction အတိုင္းျဖစ္ပါတယ္။ n-channelမွာဆို D to S ျဖစ္ျပီး p-channel မွာ
ွွS to D ျဖစ္ပါတယ္။ ဒီအခ်ိန္မွာ body ကို ဘယ္မွာ ခ်ိတ္ဆက္ထားလဲဆိုတာ ပံုမွာေရးထားပါတယ္။n-channel မွာ Ground ဆီကို ျဖစ္ျပီး p-channel မွာဆို VDD မွာ ျဖစ္ပါ
တယ္။ substrate ထည့္ဆြဲတဲ ့ပံုေတြမွာ arrow head က အတြင္း အျပင္ ျပထားပါတယ္။ BJT မွတ္တုန္းကလို P ၀င္ N ထြက္ကို ေျပာင္းျပန္မွတ္ထားနုိင္ပါတယ္။
တမ်ိဳးက Gate မွာ အလံုးေလး မပါတာနဲ ့ ပါတာျဖစ္ပါတယ္။ပါတာက PMOS ျဖစ္ပါတယ္။
ေနာက္ တမ်ိဳးကေတာ့ substrate ကို Source နဲ ့တြဲခ်ည္ထားျဖစ္ပါတယ္။ စာအုပ္ေတြကို ျဖစ္ျဖစ္ ၊ simulation software ေတြကို သံုးတဲ ့အခါျဖစ္ျဖစ္ သူတို ့ညႊန္းတဲ ့အတိုင္း
နာလည္သိ၇ွိထားဖုိ ့လိုပါတယ္။ အငး္ symbol နဲ့တင္ ေတာ္ေတာ္၇ွည္ေနျပီ ။ေနာက္ပို ့စ္မွ ဆက္မယ္ဗ်ာ။ :) :)

တင္မ်ဳိးဇင္
07-01-2010, 04:52 PM
thank you,ko htetlinnaung ေရ..တကယ္လက္ေတြ ့electronic ေလာကမွာ ဒီအေၾကာင္းေတြကမသိမျဖစ္ပါပဲ။ ကြ်န္ေတာ္ကုိေလ ဒီလုိ MOSFET အေၾကာင္း theory သိရင္ ဘယ္ေနရာမွာ အသုံးခ်ရလဲဆိုတာပါ တဲြရွင္းေပးေစခ်င္ပါတယ္။ ဘာျဖစ္လုိ ့လဲဆုိေတာ့ ကြ်န္ေတာ္က နည္းနည္းေ၀း လုိ ့ပါ။ ကြ်န္ေတာ္ လက္ေတြ ့လုပ္ရင္ circuit diagram ေတြၾကည့္ျပီးနည္းနည္းပါးပါးဆင္တပ္ေပမယ့္ နားမလည္ဘူးဗ်။ ဥပမာ ဘယ္လုိေျပာရမလဲဆုိေတာ့ ကုိယ္စီးတဲ့ျမင္းအထီးလား၊ အမလားမသိဆုိသလုိေပါ့။ အဲဒီလုိ နားလည္ေအာင္ ဘယ္လုိေလ့လာရမယ္ ဆုိတာေလးလဲ လမ္းညႊန္ေပးေစခ်င္ပါတယ္။

htetlinnaung
07-07-2010, 07:58 AM
မဂၤလာပါ ..စာမေရးျဖစ္တာ အရင္ေတာင္းပန္ပါရေစဗိ်ဳ ့..လူကလညး္ ဘာမွသာမလုပ္တာ အားကိုးမအားဘူး ;D ;D
ကိုတင္မ်ိဳးေဇာ္ ေျပာသလိုပါဘဲ MOS ေတြကို ဘယ္ေနရာေတြမွာသံုးလဲဆိုတာကို ပါတြဲရွငး္ေပးဖို ့ကြ်န္ေတာ္ ၾကိ ုးစားပါအံုးမယ္ သိသေလာက္ေပါ ့ ;D
ဒီေန ့ေတာ့ ကြ်န္ေတာ္ MOSFET မွာ ဘယ္လို channel ျဖစ္လာလည္းဆိုတာ ေဆြးေႏြးသြားမွာပါ။ဖတ္တဲ့သူကို ပိုရွင္း ပိုျမင္ေအာင္ အင္တာနက္ထဲမွာ pdf ေလးေတြ ေလွ်ာက္ခ်ျပီး လိုက္လည္းဖတ္ၾကည္ ့
ရေသးလို ့တခါတေလ ဘယ္ကစေရးရမွန္းေတာင္မသိ ဘူးဗ်။
ကြ်န္ေတာ္ ေရွ ့ပို ့စ္မွာ ျပခဲ ့တဲ ့ပံုကို ျပန္ၾကည္ ့မယ္ဆိုရင္ အလႊာ ၃ ခုကို ေတြ ့ရမွာ ျဖစ္ပါတယ္။ Metal (Aluminium Al ,ေနာက္ပိုင္း မွာေတာ့ Polysilicon သံုးလာ၊) ျပီးေတာ့
Oxide (Silicondioxide SiO2 , ယေန ့ေနာက္ပိုင္းေတြမွာ Silicon Oxynitride (Si2N2O) ကိုသံုးလာ) ၊နဲ ့Semiconductor (Si) ဆိုျပီးရွိပါတယ္။ ဒီေတာ့ ဘာနဲ ့သြားတူလဲဆိုေတာ့ ကြ်န္ေတာ္တို ့အားလံုးသိတဲ့
Planar capacitor တစ္လံုးလို ျဖစ္ေနပါတယ္။ အဲဒီအခ်ိန္မွာ ကြ်န္ေတာ္တို ့ Gate ကို Positive voltage ေပးလိုက္တဲ ့အခါမွာ ေအာက္က P type မွာရွိေနတဲ ့electrons ေတြက oxide အလႊာဆီကို တြန္းပို ့ခံရျပီး အေပၚကေနျပီးေတာ့လည္း ဆြဲယူျခငး္ကို ခံရပါတယ္။တနည္းအားျဖင့္ gate-insulator နဲ ့semiconductor ထိစပ္ေနတဲ ့interface ေနရာကေနျပီးေတာ့လညး္ positively charged holes ေတြကိုတြနး္ထုတ္ခံရပါတယ္။ ဒီေတာ့ အဲဒီေနရာမွာ carrier-free region of immobile ေတြျဖစ္လာျပီး depletion layer ကို ျဖစ္ေစပါတယ္။ ခုနက ျဖစ္ခဲ ့တဲ ့process ေၾကာင့္ oxide အလႊာရဲ ့ေအာက္ကပ္ရပ္မွာ inverted channel (excess of electrons) တခုလညး္ျဖစ္လာပါတယ္။ အဲဒီမွ ခုနက depletion region ကေနျပီးေတာ့ channel ကို body (substrate) ကေန isolate လုပ္ေပးထားသလို ျဖစ္ေနပါတယ္။ ျမင္သြားေအာင္ ေအာက္ကပံုကိုၾကည္ ့ပါ။
http://img818.imageshack.us/img818/5127/capture1.png
ဒီေတာ့ MOSဆီျပန္သြားၾကည့္မယ္။ ေအာက္ကပံုေလးေတြကို ထပ္ၾကည့္ပါ။
http://img199.imageshack.us/img199/3339/capture2az.png
ပံုမွာ ျမင္ရတဲ့အတိုငး္ပါဘဲ Drain(D) နဲ ့Source(S) ကို n-type channel နဲ ့ဆက္ေပးထားပါတယ္။ ဒါက N-channel ကိုျပထားပါ ။ P-channel ဆို ေျပာငး္ျပန္လို ့သာ ေလာေလာဆယ္ မွတ္ထားပါ။
ပံုမွာ ျမင္ရတဲ ့အထဲမွာ N+ ဆိုတာက n-type ျဖစ္ေအာင္ highly doped လုပ္ထားတာျဖစ္ပါတယ္။ N-channel အတြက္ P-type substrate ကိုသံုးျပီး p-channel အတြက္ N-type substrate ကိုသံုးပါတယ္။CMOS မွာဆိုရင္ေတာ့ n-well နဲ ့P-well ခံျပီး တည္ေဆာက္ပါတယ္။ ဒီေနရာမွာ တခါတည္း မွတ္ထားမယ္ဆိုရင္လညး္ စမွတ္ရမွာက N-channel မွာ Gate ကို positive voltage ေပးျပီး p-channel မွာ negative voltage ေပးတာ ျဖစ္ပါတယ္။ေနာက္ထပ္ ပိုရွင္းေအာင္ ပံုတစ္ခဳ ထပ္ၾကည့္ရေအာင္ပါ။
http://img199.imageshack.us/img199/716/capture3xx.png

MOS ရဲ ့နာမည္ေတြကို မွတ္မိေအာင္ ဒီေနရာမွာ ၾက ံုလို ့ေျပာရရင္ Source (S) ဆိုတာ channel ကို ျဖတ္စီးဆင္းမဲ ့ electrons for n-channel (or) holes for p-channel ေတြရဲ ့မူလ အစ source ျဖစ္တာ ျဖစ္တဲ ့အတြက္ ေခၚဆိုတာျဖစ္ျပီး Drain(D) ကေတာ့ အဲဒီ charge carriers (electrons or holes) ေတြ channel ကေန ထြက္ခြာစီးဆင္းလာလို ့ Drain လို ့ေခၚဆိုတာ ျဖစ္ပါတယ္။
ေနာက္တခ်က္က enhancement လို ့ေခၚဆိုရျခငး္ကေတာ့ bias တခုေပးျပီး drain နဲ့ source ၾကား gate ေအာက္မွာ channel ကို enhancing လုပ္ေပးျခင္းအားျဖင့္ off ေနတဲ ့channel ကို ON ေပးလို ့ျဖစ္ပါတယ္။Gate မွာ Voltage 0 ေပးခ်ိန္မွာchannel မရွိဘဲ positive voltage (for n-channel) ေပးလုိက္တဲ့အခါမွသာ ျဖစ္လာလို ့enhancement type လို ့ေခၚဆုိတာျဖစ္ပါတယ္။ ေနာက္ပို ့စ္မွာ IV characteristic ေတြ နဲ ့ operation region ေတြအေၾကာင္းဆက္ပါ ့မယ္။
p.s
ကြ်န္ေတာ္ equation ေတြကို ထည့္မေရးျဖစ္တာက အလုပ္လုပ္တဲ ့သေဘာတရား နဲ ့ function ေတြကို ျမင္ေအာင္ ေျပာေနျခင္းျဖစ္လို ့ပါ။အတိအက် တြက္မယ္ ခ်က္မယ္ ဆိုရင္ေတာ့ လိုအပ္ပါတယ္။ လိုတဲ့အခါ က်ရင္ ထည့္ေျပာေပးပါ ့မယ္။ ေက်းဇူးပါ ။ဆက္ပါ ့အံုးမယ္။ :) :)

htetlinnaung
07-08-2010, 08:37 PM
မဂၤလာပါ..
အရင္ပို ့စ္မွာ စေျပာခဲသလို ဒီတခါမွာေတာ့ MOSFET ရဲ ့ transfer characteristics အၾကာင္းဆက္ပါ ့မယ္။ ေအာက္က ဂရပ္ကို ၾကည့္ပါ။
http://img4.imageshack.us/img4/6313/capture4ot.png

Id နဲ ့ Vds , Id နဲ့ Vgs တို ့ရဲ ့ဆက္စပ္တာကို ျမင္ရမွာျဖစ္ပါတယ္။ Gate to Source voltage Vgs ကို တိုးေပးလာတဲ့ အခါမွာ Vt (threshold voltage) အမွတ္ကို ေက်ာ္မွ Id က တျဖည္းျဖည္းတက္လာတာ ျမင္ရမွာျဖစ္ပါတယ္။တျပိ ုင္နက္ထဲမွာ
Vgs တန္းဖိုး တခုမွာ Vds (Drain to Source voltage ) ျမင့္တက္လာတာနဲ ့အမွ် Id တက္လာျပီး ေနာက္ဆံုး Vds တန္းဖို း တိုးလာလညး္ Id saturation ျဖစ္သြားတာကိုလညး္ ေတြ ရမွာျဖစ္ပါတယ္။
ဒီေနရာမွာ ဘာေၾကာင့္ saturate ျဖစ္တယ္ ဆိုတာ ျပန္မရွင္းေတာ့ပါဘူး။ အရင္ FET မွာတုနး္က လညး္ အနည္းငယ္ေျပာခဲ့ေတာ့ မွတ္မိမယ္ထင္ပါတယ္။ threshold voltage နဲ ့ပတ္သတ္ျပီးေတာ့လညး္ သက္သက္ေရးပါအံဳးမယ္။
အခုေတာ့ operation region ဘက္ကို ဆက္ပါ ့မယ္။အားလံုးသိျပီးတဲ ့အတိုငး္ region ၃ခု ရွိပါတယ္။ Cutoff region , Triode region နဲ ့Saturation region ဆိုျပီးျဖစ္ပါတယ္။
အဲထိအထဲက triode region နဲ ့ Saturation ကို ေအာက္က ဂရပ္မွာၾကည့္ပါ။
http://img810.imageshack.us/img810/5668/capture5l.png

ပံုမွာ ျမင္ရတဲ ့အတိုင္းပါဘဲ။ http://Vds တန္ဖိုးဟာ (Vgs - Vt ) ထက္ ငယ္တဲ ့အျခမ္း Id ျဖည္းျဖည္းခ်ငး္တက္လာတဲ ့အပိုင္းက Triode region ျဖစ္ျပီး
ၾကီးတဲ ့ညာဘက္က Id saturated ျဖစ္သြားတဲ ့အျခမး္ကေတာ့ saturation ျဖစ္ပါတယ္။
Cutoff region ကေတာ့ အားလံုးသိျပီးတဲ့အတိုင္း Vgs တန္ဖိုးက Vt ထက္ငယ္ေနတဲ ့အခ်ိန္ Drain current Id က 0A (သုည အမ္ပီယာ) ျဖစ္ေနတဲ့အခ်ိန္ျဖစ္ပါတယ္။

တင္မ်ဳိးဇင္
07-10-2010, 05:24 PM
thank you very much..ပါ။ ဒီလုိ စိတ္ရွည္ရွည္နဲ ့ရွင္းျပေပးတာယုံေတာင္ မယုံႏုိင္ေအာင္ပါပဲ။ အကုိhtetlinnaungရဲ့ ေစတနာကိုလည္း ေလးစားမိပါတယ္။ အပင္ပန္္းခံရၾကဳိးနပ္ေအာင္လည္း ၾကိဳးစားေနပါတယ္။ ကြ်န္ေတာ္တုိ ့ေက်ာင္းမွာေတာင္ ဒီလုိနားမလည္ခဲ့ပါဘူး။ ဆက္ျပီးေတာ့လည္း ရွင္းျပေပးေစခ်င္ပါတယ္။ က်န္းမာခ်မ္းသာပါေစ။ :)

yanpye
07-26-2010, 06:51 PM
Transistor basic နဲ႔ Principles of transistor circuits မ်ားအေၾကာင္းကို ေရးသားထားတဲ့ စာအုပ္ေလး ဆက္လက္ေလ့လာလို႔ ရေအာင္တင္ေပးလိုက္ပါတယ္ခင္ဗ်ာ။ :)

http://www.mediafire.com/?5998g41r44laub6

sawkyiiphyu
06-04-2012, 10:27 PM
transistor ကုိ ေက်ာင္းမွာကေကာင္းေကာင္းသင္ခဲ့ပါတယ္။ ေကာင္းမေကာင္းဘယ္လုိသိႏုိင္မွာလဲ ၊ ဘယ္လုိတုိင္းမွာလဲလုိ ေမးတဲ့အခါ ရုိးရုိးမီတာနဲ႕ေထာက္တုိင္းၿပီးသာ အေျဖေပးခဲ့ပါတယ္။ ေနာက္မွ သိတာက transistor တုိင္းတာဖုိ႔အတြက္ မီတာမွာ hfE ပါတာကုိ မသိလုိေက်ာ္သြားပါတယ္။ transistor ကုိ မီတာမွာ တုိင္းတာတဲ့အခါ hfE ကို ထားၿပီးမွ ဘီတာ (IC/IB) ကုိ တုိင္းတာျခင္းျဖစ္ပါတယ္။ ရုိးရုိးအုမ္းမီတာနဲ တုိင္းရင္ေတာ့ Base နဲ႕ collector ကုိ တစ္ခါတုိင္း Base နဲ႕ Emitter ကုိတုိင္းၿပီးမွ ေကာင္းမေကာင္းသိရတာပါ ။ hfE မွာထားတုိင္းရင္ေတာ့ အေကာင္းဆုံးနဲ႕အတိက်ဆုံး ျဖစ္မွာျဖစ္ပါတယ္။ ကုိယ္မွာ ျဖစ္ခဲ့တဲ့ ဟာသတစ္ခုကုိ အေတြ႕အၾကဳံ အျဖစ္ယူႏုိင္ပါေစလုိ